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AVM Ovation MA 8.3 Mono Endstufe
AVM OVATION MA 8.3
Mit den Mono Endstufen von AVM steigen Sie in die Referenzklasse der Verstärker ein. Die Ovation MA 8.3 sind wahre Kraftpakete und leistet bis zu 1100 Watt, unabhängig der Lautsprecherlast. Beide Endstufen arbeiten vom Eingang bis zum Lautsprecher Anschluss komplett symmetrisch und analog. Zudem setzten die Ovation MA 8.3 auf eine Röhren-Eingangsstufe, die mit den, eigens für AVM entwickelten, 803 T Röhren bestückt ist.
Silber
Preis 33990.- Fr.
Silber / innert 1 - 2 Wochen
FÜR FINESSE IST GESORGT
Die vollsymmetrische Röhren-Eingangsstufe arbeitet DC gekoppelt und sorgt für feinste Auflösung der Musiksignale. Durch die Röhren wird Ihre Musik bis in die hinterste Ecke ausgeleuchtet und kein musikalisches Detail bleibt verborgen. Im Zusammenspiel mit den kräftigen Endstufen erleben Sie eine Klangbühne, die ihresgleichen sucht. Natürlichkeit, Offenheit und Dynamik lässt Sie Ihre Musik neu entdecken und geniessen.
Kombiniert man die MA 8.3 mit einer Vorstufe von AVM profitiert man von einer weiteren hauseigenen Funktion. Dem AVM Intelligent Remote, kurz AIR. Über diese Schaltung erkennt die Endstufe ein eingehendes Musiksignal und schaltet umgehend vom Stand-by in den aktiven Betrieb um.
VIELSEITIG
Die beiden Endstufen können wahlweise über ein XLR, oder Cinch Anschluss mit Musik versorgt werden. Zudem steht noch ein weiteres Paar Lautsprecheranschlussklemmen zur Verfügung, wenn Sie sich für einen Bi-Wire Anschluss entscheiden. Intern abreitet, getrennt vom Musiksignal, eine Sicherheitsschaltung. Die überprüft die Endstufe laufend auf Überhitzung, Überlast und Anschlussfehler. Damit Sie ungestört der Technik dem Musikgenuss frönen können.
STROMTÜCHTIG
Die beiden mächtigen 1000 VA Ringkerntrafo versorgen die beiden riesigen Endstufen mit reichlich Strom. Durch die schier endlosen Kraftreserven haben die MA 8.3 jeden noch so komplizierten Lautsprecher im Griff und lassen ihn in neue Höhen spielen.
TECHNISCHE DATEN
| Vollsymmetrische Eingangsstufe mit OVATION 803 T Röhrentechnologie | 48 selektierte Hochstrom-MOS-FETs |
| 2 Ringkern-Haupttransformatoren (2 x 1000 VA) | 800.000 µF Siebung pro Endstufe |
| Symmetrische, DC-gekoppelte Architektur mit 1.100 W an allen Lasten | Automatische Ein/Aussschaltung |
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